Focused Ion Beam system / 집속이온빔장치
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- 도입년도
- 2013
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- 모델명
- JIB-4601F
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 일본 / Jeol
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 공동기기원
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- 설치장소
- [81B104]집속이온빔(FIB)
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- 담당자(연락처) / e-mail
- 김영미(Kim Youngmi) (031-299-6729) / mistym@skku.edu
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장비설명
닫기집속이온빔은 고분해능 전자이미지 이온이미지 나노소자제작 물질 증착 등 다양한 능력을 가지고 있다. 또한 동시에 나노스케일 패터닝 (에칭 증착)과 이미지 관찰이 가능하며 이온빔과 전자빔을 동시에 이용하여 고해상도의 단면관찰 및 TEM/3DAP 시편제작이 가능하다.
구성 및 성능
닫기- Ultra high resolution electron imaging 초고분해능 전자 이미징 - High resolution ion imaging 고분해능 이온 이미징 - STEM imaging (BF DF HAADF) STEM 이미징 (BF DF HAADF) - TEM 3DAP sample preparation TEM 3DAP 샘플 제작 - Circuit correction (etching deposition
사용/활용예
닫기- 나노입자 및 소재 반도체 재료 및 디스플레이 재료 등의 단면을 가공하여 관찰하고 TEM 시편을 보다 쉽게 제작할 수 있음 - 집속이온빔을 이용한 시료 가공 및 패턴 제작 - 8inch pattern wafer 대응가능
용도
닫기A low-vacuum mode enables SEM observation without any coating of insulating material, so it can be used in almost any field. The FIB can be used for fine milling and TEM thin-film sample preparation. 3-dimensional images can be reconstructed to provide a better understanding of the internal structure of the specimen.
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항목명 교내요금 교외요금 FIB2 Etching 가공(1시간) 160000 240000 FIB2 TEM 전처리(시료 1개/2시간/Si wafer기준) 360000 500000 FIB2 EDS 성분 분석(Point) 35000 50000 FIB2 EDS 성분 분석(Line, Mapping) 40000 60000 FIB2 SEM Image(1장) 2000 3000 FIB2 Mo Grid(1개) 50000 50000 FIB2 Pt, Au coating(1회) 15000 20000 FIB2 Grid Box(1개) 20000 20000