FIB / 집속이온빔장치
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- 도입년도
- 2006
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- 모델명
- SMI3050TB
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 일본 / Seiko Instruments
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 공동기기원
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- 설치장소
- [81B104]집속이온빔(FIB)
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- 담당자(연락처) / e-mail
- 정효인(Jung Hyoin) (031-299-6777) / hyoin@skku.edu
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구성 및 성능
닫기Triple Beam System (FIB, SEM, Ar ion beam) Micro Probing System 장착 sampled의 특정 위치를 결정하여 가공, 검출, 영상분석이 가능. 나노 특정영역에서의 Ion Milling, Patterning 나노 pore(~30nm) 가공이 가능하며 반도체, Polymer, Bio 등 폭넓은 분야의 응용성을 가지고 Failure Analysis 및 TEM 시편 제작에 이용
용도
닫기Circuit Edit(회로 수정), Chip Construction Analysis(Chip 구조 분석), Chip Failure Analysis(Chip 불량 분석), TEM Sample Preparation(TEM 시료 전처리)
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항목명 교내요금 교외요금 FIB1 Etching 가공(1시간) 150000 220000 FIB1 TEM 전처리(시료 1개/2시간/Si wafer기준) 360000 500000 FIB1 EDS 성분 분석(Point) 35000 50000 FIB1 EDS 성분 분석(Line, mapping) 40000 60000 FIB1 SEM image(1장) 2000 3000 FIB1 Pt, Au coating(1회) 15000 20000 FIB1 Grid Box(1개) 20000 20000