FIB(Focused Ion Beam system) / 집속이온빔장치
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- 도입년도
- 2018
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- 모델명
- NX2000
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 일본 / Hitach High-technologies
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 공동기기원
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- 설치장소
- [81B104]집속이온빔(FIB)
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- 담당자(연락처) / e-mail
- 권미리내 (031-299-6732) / kmrn1205@skku.edu
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장비설명
닫기Focused Ion Beam 장비는 전자빔을 시료에 집속했을 때 전자빔과 시료와의 상호작용에 의해서 발생되는 이차전자(secondary electron) 혹은 후방산란전자(back scattered electron)를 이용하여 분석하려고 하는 시료 표면의 형상 및 위치를 학인하고, 특정 이온(Ga+ 이온 등)을 시료표면에 주사하여 시료표면을 가공해서 관찰하는 장비이며, 이를 통해 재료의 특정부위의 미세가공, 데포, 회로수정 등과 함께 이를 이용하여 특정부위의 시료가공(TEM 시료가공) 및 특정부위 가공 분석에 활용 하는 장비이다.
구성 및 성능
닫기1. 전자 현미경 - 주사 전자 현미경을 이용한 시료 표면 관찰 - Resolution 2.8nm(5kV) 2. 이온현미경 - source : Ga 이온, 시료 가공 - Resolution 4nm 5. Stage - Ion beam current range: 0.1pA to 100nA 4. Low acceleration Ar ion beam system - Accelerating voltage : 0.5 ~ 2kV 5. probing system - 시료 Lift out - Fully motorized 4-axis (X, Y, Z and R) actuator 6. Gas injection system (Pt, C, W) 7. EDS system
사용/활용예
닫기1. 나노소자 구조관찰 및 3차원 가공 및 시편의 특정위치를 Ga+ 이온으로 Etch 후 Vertical imaging 2. TEM(투과전자 현미경 시편제작) 3. 나노 및 마이크로 사이즈 시료 가공 4. 특정 부위 시료 가공 후, 이미징 분석 및 화학분석 등에 활용
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항목명 교내요금 교외요금 FIB3 Etching(1시간) 170000 250000 FIB3 Etching(0.5시간) 85000 125000 FIB3 TEM sampling(2시간/시료 1개) 360000 500000 FIB3 EDS 성분분석(Line, Mapping) 40000 60000 FIB3 EDS 성분분석(Point) 35000 50000 FIB3 SEM Image(1장) 2000 3000 FIB3 Pt, Au Coating 15000 20000 FIB3 Mo Grid(1개) 50000 50000 FIB3 TEM gel box 20000 20000