○ 초전도 큐비트와 초전도 공진기 증착을 6인치 스케일에서 독립적이고 고청정도로 수행하는 전용 장비 ○ 20-50큐비트 규모의 초전도 양자프로세서는 매우 낮은 수율을 피할 수 없으며, 3차원 적층 등의 고난이도 공정이 들어가기 때문에 6인치 공정으로 확대하여 초전도 양자컴퓨터 개발 연구 지원을 확대할 필요가 있음. ○ 기타 큰 칩에서의 초전도 공진기 등의 공정 등을 지원하기 위해 대면적 초전도 증착에 활용

• Process Chamber   - 6” Viewport, 10” CFF HighVac pumping port • Loadlock Chamber    - Chamber wall electropolishing • Vacuum Pumping    - Cryo Pump (>1500l/s)    - Turbo Pump  (>1500l/s)    - Dry Pump (>1500l/m)    - Base pressure < 5E-8 mbar • Vacuum gauge and Controller • E-beam source and Power supply    - Rotatable multi-pocket source    - 25cc pocket or multi-pockets total larger than    - Telemark 10 kW power supply    - High voltage up to 10 kV • Oxidation capability    - Static Oxidation    - Dynamic Oxidation • Substrate Unit    - Up to 6 inch wafer mountable    - Tilt & Rotation (tilt angle +- 90º)    - Tilt Resolution < +- 0.02 º    - Rotation control 0.2 º    - Motorized Rotation Control    - Heater Unit up to >500C • QCM deposition control   - 6 MHz gold coated crystal sensor   - QCM resolution 0.03 MHz   - Inficon Thickness monitor   - Thickness uniformity 5% • 19” standard rack control unit • Ion source and Power supply    - Kaufman & Robinson gridded dc ion beam source    - Dual filament cathode    - Beam voltage up to 1200 V max    - Filament neutralizer • Power : 220V 3-phase