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Cs-corrected Transmission Electron Microscope / 구면수차보정투과전자현미경

  • 장비설명

    본 장비로는 TEM의 기능을 뛰어 넘는 공간분해능과 점분해능을 갖추고 있어 그동안 차세대 반도체 분석 난제로 여겨지던 나노 영역의 조성, 응역, 두께, 화학적 결합 등에 대한 분석 및 해석 가능, 첨단 Graphene 및 금속 나노재료의 미세구조, 화학분석, 그리고 물리적 특성 등의 첨단재료의 복합적 분석에 사용될 수 있음.

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    구성 및 성능

    1)Lattice resolution : 0.2nm 2)Magnification : x100 to x10,000,000 3)Accelerating voltage : 200kV 4) Beam emission method : Schottky Emission source Image observation signals : SE, Phase Contrast, HADP, Live DP, EDS Live 5)Specimen size : 3mm dia. 6)Specimen movement Range : 0.1nm accuracy fully Compu-Motor X,Y : ±1mm, : ±0.3mm 7)Specimen tilt angle : ±30˚

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    사용/활용예

    반도체, 화학, 재료 분야 분석에 이용함.

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  • 항목명 교내요금 교외요금
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