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Magnetic Sector Secondary Ion Mass Spectrometry, M-SIMS / 자기섹터이차이온질량분석기

  • 장비설명

    ○ Magnetic sector SIMS는 고체 표면의 화학 조성을 조사하는 기술로, 먼저 샘플 표면에 고에너지 이온 빔을 쏘아 이온화한다. 이후, 이온들은 자기장을 통과하여 질량별로 분리되며, 분리된 이온들의 질량은 감지기를 통해 측정되어 화학물질의 종류와 분포를 확인한다. 이 기술은 원자나 분자 수준에서 미세한 세부 구조를 분석하는 데 사용된다. 고해상도 이미징과 정확한 화학 조성 분석이 가능하여 다양한 연구 및 산업 분야에서 활용된다. 분석 속도가 빠르고 민감도가 높아 샘플의 소량 물질도 감지할 수 있다. Magnetic sector SIMS는 나노메터 스케일에서의 표면 분석에 적합하며, 반도체 산업부터 화학, 생물학 등 다양한 분야에서 활발하게 사용되고 있다. ○ 반도체 시료분석: 반도체 산업에서 Magnetic sector SIMS는 다양한 분석이 가능하다. 이를 통해 반도체 소자의 불순물 및 원자 수준의 화학 조성을 정밀하게 분석하여 소자의 품질을 평가할 수 있고 미세 구조의 분석을 통해 소자의 패턴화 과정을 평가하고, 인터페이스 및 경계층의 화학적 조성을 분석하여 결함이나 불순물을 감지할 수 있다. 또한 깊이 방향의 도핑 분포를 확인할 수 있어, Magnetic sector SIMS는 반도체 산업에서 품질 관리와 공정 개선에 핵심적인 역할을 수행한다. ○ 수소 분석: Magnetic sector SIMS는 연속 빔을 사용하여 분석 시간 동안 챔버 내의 수소 오염을 방지하여 수소 분석이 가능한 유일한 장비이다. 감도가 뛰어나므로 미량 분석에 용이하며, 동위원소 분석시에도 고해상도를 제공하여 중수소를 사용하는 연구에 적합하다. ○ 대기 민감 시료 분석: 대기에서 빠르게 산화되는 시료의 경우, 시료 운반 중 대기 노출을 피하기 위한 환경 조절이 중요하다. Magnetic sector SIMS는 대기 차폐형 시료 운반 장치를 설치하여 수소 취성 및 이차 전지 연구 등에 적합하다. ○ 7f-auto로 얻을 수 있는 결과 - Dopant 및 불순물 검출한계 분석(Detection Limit) - 원소의 깊이 방향 분석(Depth distribution analysis) - 시표 표면내 원소분포 이미지 분석(2D 및 3D image analysis) - 동위원소 분석(Isotope analysis)

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    구성 및 성능

    ○ Beam source: Cs, Oxygen (Continuous beam ) ○ Depth profile function ○ MCs technique: Minimize the matrix effect for multi-layer sample. ○ Mass resolution : ≥ 20,000(10% definition, Gaussian peak shape) ○ Vacuum transfer suitcase: anti-oxidation system ○ Automated storage chamber : Max 6 samples holders. The holder exchange between the storage chamber and analysis chamber is fully motorized and computer controlled.

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    용도

    Dynamic Ion 주사 방식(Dose량: 1.0e13atoms/cm2이상)을 통한 심도 분석 및 극미량 원소(TOF 타입 대비2order 낮은 검출한계) Depth Profile 분석이 가능한 SIMS

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  • 항목명 교내요금 교외요금
    M-SIMS 기본료 진공 및 전처리 (1회) 140000 200000
    M-SIMS 표면분석 Surface (30분/시료) 120000 160000
    M-SIMS 깊이분석 Depth Profile (30분/시료) 140000 200000
    M-SIMS 실제깊이변환 Profiler 추가 (시료) 40000 60000