FIB Ⅱ / 집속이온빔장치Ⅱ
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- 도입년도
- 2012
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- 모델명
- JIB-4601F
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 일본 / Jeol
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 성균관대학교산학협력단
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- 설치장소
- 공동기기원호
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- 담당자 연락처 / e-mail
- 031-299-6715 / zeus@nfec.go.kr
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장비설명
닫기집속이온빔은 고분해능 전자이미지, 이온이미지, 나노소자제작, 물질 증착 등 다양한 능력을 가지고 있다. 또한 동시에 나노스케일 패터닝 (에칭, 증착)과 이미지 관찰이 가능하며, 이온빔과 전자빔을 동시에 이용하여 고해상도의 단면관찰 및 TEM/3DAP 시편제작이 가능하다
구성 및 성능
닫기- Ultra high resolution electron imaging 초고분해능 전자 이미징 - High resolution ion imaging 고분해능 이온 이미징 - TEM, 3DAP sample preparation TEM, 3DAP 샘플 제작 - Circuit correction (etching, deposition) 회로수정 (에칭, 증착) - Energy dispersive spectroscopy (EDS) : element analysis Energy dispersive spectroscopy (EDS) : 원소 분석 - TV camera(SC1000) - 나노입자 및 소재, 반도체 재료 및 디스플레이 재료 등의 단면을 가공하여 관찰하고, TEM 시편을 보다 쉽게 제작할 수 있음, - 집속이온빔을 이용한 시료 가공 및 패턴 제작 - 8inch pattern wafer 대응가능
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