내부가 진공 상태로 유지되는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부로 주입된 반응가스를 이온화하여 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하며, 고밀로 플라즈마를 유지한 상태에서 전자 에너지를 감소시키기 위해 대칭 구조를 이루는 제1 및 제2 멀티모드 안테나부; 및 상기 제1 및 제2 멀티모드 안테나부에 RF전원을 공급하는 RF 전원 공급부를 포함하는 유도결합 플라즈마 방식의 식각 장비

1)Control Sys. and User Interface -Windows 2000 S/W Control PC W/CD-RW / -Std. Control Sys. / -Standalone VDU, Keyboard and Mouse 2)Vacuum Load Lock W/Carousel Loader / -Vacuum Load-Lock and Carousel Loader -Carousel Loadlock Parts for 2*100mm Substrates / -Rotary Pump: Edwards E2M40F 3)AOE-HR Process Module -ICP HCH250M Process Chamber(MESC) / -ICP 250PH Source(exc.PSU and Matching) -Antenna Cooling by DI Water(B500) / -3KW(13.56MHz) RF Supply&Matching Unit(for ICP Source) -Electrostatic Electrode with Intelligent Release and He Backside Cooling -Chamber Parts for 1*100mm Substrate(Electrostatic Clamping) -600W(13.56MHz) RF Supply and Matching Unit(for Lower Electrode) -High Capacity Electrode Temp. Control(-20 to +70℃) (H140W) -On-Board Mini Gas Box (Max.8Lines) / -Gas Line-Non Hazardous : 5ea -Gas Line(Interlocked to Oxygen Gas Line) / -Gas Line Control Module -Turbo Pump: Leybold MAG2000CT / -Dry Pump: Edwards iQDP80(M)

본 장비는 플라즈마를 이용한 etching 으로 여기서 말하는 Cl2와 Bcl3는 gas의 종류이고 Ar, O2보다 반응성이 크며 반응성이큰 gas를 이용해야 etch에 사용 가능합니다.