plasma를 이용하여 친·발수 처리를 통한 기판의 표면 개질 및 O2 plasma를 이용한 잔류 PR 제거 graphene patterning 등의 목적으로 제작하고 한다. 특히 chamber 내부에 heating 시스템을 구축하여 온도에 따른 plasma의 영향을 살펴볼 수 있도록 고안되었다. 본 장비는 프로세스 챔버 (Process chamber)와 히터(heater) 및 제어부 (Control panel)로 구성되어 있다.

시스템 구성 프로세스 챔버 모듈 가스공급 및 배기모듈 시스템 제어부 챔버 내 진공 제어 시스템 - 기판크기 : variable max. 5인치 (두께: 0.02 ~ 1 mm) - 기판종류 : Si wafer glass piece Cu foil 및 기타 - 기판온도 : ▶ Max. 600℃ (기판온도 기준)/Max. 800℃ (히터온도 기준) / PID제어방식 ▶ 균일도 ≤ ± 5℃ (기판온도 기준) ▶ 기판은 샤워헤드와의 gap이 조절되도록 구동되어야 함. (1mm 단위로 조절 조절 범위 (1~20mm이내)) 단 gap조절이 없이도 공정조건을 맞출 수 있다면 필요 없음. - 프로세스 챔버 진공라인 구성 1) Rotary 펌프 1대로 프로세스 챔버의 진공도 조절 2) Rotary 펌프는 550 l/min 이상 제공 3) 프로세스 진행 시 auto baratron gage와 auto throttle valve로 챔버 내 진공도 조절 (1.0×10-2 torr ~ 1 torr) - 진공펌프 : rotary 펌프(공정용) 독성 및 부식가스 사용(fomblin oil 사용) - 제어시스템 : 공정제어 PLC를 이용한 수동 및 자동제어

각 종 소자 제작시 photo-lighography 공정 후 metal layer의 etching 공정 PR 제거 후 본 장비를 통해 ashsing 공정을 실시하면 잔류된 PR을 현저하게 줄일 수 있어 소자 특성 향상에 도움이 됨. 또한 제작한 graphene의 patterning 공정에도 적용 가능함.