Neutral Beam Etching System / 중성빔식각장치
-
- 도입년도
- 2010
-
- 모델명
- 12웨이퍼 처리용
-
- 취득금액
-
- 제조국가 / 제조사
- 대한민국 / 에스엔텍
-
- 수량
- 1
-
- 운영기관
- 성균나노과학기술원
-
- 설치장소
- 83102
-
- 담당자 연락처 / e-mail
- 031-299-6562 / gyyeom5534
-
장비설명
닫기대면적 300 mm 중성빔 식각 장비로써, large scale etching 이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 기존의 이온빔 식각 장비와는 다르게 중성화된 빔을 사용하기 때문에 전기적 물리적 대미지를 최소화 할 수 있다는 장점을 가지고 있고, sub-20 nm 소자 제작에 용이한 특성을 가지고 있다. 세 개의 그리드 시스템을 통과하면서 챔버에서 발생된 플라즈마는 이온 소스만을 추출하게 되고, 추출된 이온빔 소스들은 리플렉터에 부딪히게 되면서 중성화되게 된다. 본 실험장비의 경우 중성화율은 99% 이상 중성화된 소스를 얻을 수 있었고, 참투웨이퍼를 이용한 대미지 분석결과, 이온빔에 비해 중성빔이 현저히 낮은 대미지를 발생시키는 것을 확인할 수 있었다.
-
첨부된 파일이 없습니다.
-
항목명 교내요금 교외요금 정보가 없습니다.