Silicon Micro-machinable Etcher / 실리콘 식각장비
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- 도입년도
- 2015
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- 모델명
- MUC-21
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 일본 / Sumitomo Heavy Industries, Ltd. (SHI)
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 정보통신용신기능성소재및공정연구센터
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- 설치장소
- [81401]나노공정팹
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- 담당자 연락처 / e-mail
- 031-299-6606 / hubble74@skku.edu
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장비설명
닫기반도체 식각장비란 실리콘 웨이퍼(Wafer: 기판)에 전류가 흐를 수 있도록 패턴을 새겨 미세회로를 형성하는 식각공정에서 사용되는 장비를 뜻하며, 처리속도가 빠르고 각 웨이퍼의 회로를 균일하게 공정 할수록 경쟁력을 갖는다.
구성 및 성능
닫기-Wafer Size : 8" Wafer (Compatible with 6" Wafer) -Etch Rate : (5um Trench)≥10um/min / (30um Trench)≥15um/min -Uniformity : ≤±5% (Across Wafer & Wafer to Wafer) -Selectivity Si: (PR)≥150:1 -Etch Profile : 90˚±0.5˚ -실리콘 깊이 홈 식각특성 .식 각 율: 6.0um/min@50um 너비 400um 깊이 홈 .측면 수직식각: <90±0.5˚ .표면 거칠기: <40nm .균 일 도: 3%
사용/활용예
닫기실리콘 웨이퍼에 특정 미세패턴을 형성한 후 에칭작업을 통해 실제 모양을 구현이 가능 MEMS 공정을 이용하면 특정한 기계적인 샘플의 제작이 가능함 (센서, 마이크로폰, 소형화된 전자회로 등)
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항목명 교내요금 교외요금 정보가 없습니다.