Reactive Ion Etching System / 반응성 이온 식각 시스템
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- 도입년도
- 2023
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- 모델명
- 모델명 없음
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 대한민국 / (주)엘에이티
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 정보통신용신기능성소재및공정연구센터
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- 설치장소
- [81401]나노공정팹
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- 담당자 연락처 / e-mail
- 031-290-5640 / -
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장비설명
닫기- 반응성 이온식각 시스템은 MEMS와 반도체 공정 분야에서 3차원 구조인 5G 안테나, 인터포저, 3차원 반도체, CMOS, 각종 3차원 구조의 MEMS 센서에서 기판의 잔여물, 사진공정 후 잔여물 및 금속 배선 형성 후 잔여물 등을 제거하는데 사용하는 필수 장비임 - 에칭용 가스인 SF6, CF4를 이용하여 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 등방성 및 박막 식각을 할 수 있음
구성 및 성능
닫기• 4 ~ 8인치 기판 사이즈까지 식각 가능 • 식각율 : 1000 ~ 3000 Å/min (SiO2) • 식각 균일도 : ±7% at 8inch wafer • 식각 가스 : Ar, O2, CF4, SF6 • Water cooled Bias Chuck • RF power : 600W, 13.56 MHz
사용/활용예
닫기• 패턴된 실리콘, 실리콘산화막, 실리콘질화막 등이 건식 식각 • Submicro에서 수 micro 까지 다양한 두께의 박막 가공 • 산소플라즈마를 이용하여 효율적으로 PR 잔여물 제거 • 기판의 오염물 제거
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