PE-CVD / 고밀도 플라즈마 화학기상증착기
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- 도입년도
- 2005
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- 모델명
- HiDepTM
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 미국 / Bmr Technology
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 정보통신용신기능성소재및공정연구센터
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- 설치장소
- [81401]나노공정팹
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- 담당자 연락처 / e-mail
- 031-299-6606 / hubble74@skku.edu
국가연구시설장비 분류체계
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장비설명
닫기* System - Fully automatic control of system - Fully automatic substrate loading to chamber and form chamber to load-lock. - Substrate holder for single 4" 6" 8" in diameter. - Diameter wafer platen suitable for single substrates to 200mm in diameter or batches of smaller substrates. * Application : SiO2 Si3N4 Poly-Si * SiO2 deposition - Temperature control : RT to 400캜 - Deposition Rate : > 1600 A/min - Thickness Uniformity : ? % in 6" wafer - Run to Run Uniformity : ? % in 6" wafer - Hydrogen Concentration : below 5% atomic % - Refractive Index Uniformity : 1000 A/min - Thickness Uniformity : ? % in 6" wafer - Run to Run Uniformity :? % in 6" wafer - Hydrogen Concentration :below 5% atomic % - Refractive Index Uniformity :
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