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C.기계가공/ 시험장비

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ICP Etcher / 유도결합형 플라즈마 식각장비

  • 장비설명

    내부가 진공 상태로 유지되는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부로 주입된 반응가스를 이온화하여 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하며, 고밀로 플라즈마를 유지한 상태에서 전자 에너지를 감소시키기 위해 대칭 구조를 이루는 제1 및 제2 멀티모드 안테나부; 및 상기 제1 및 제2 멀티모드 안테나부에 RF전원을 공급하는 RF 전원 공급부를 포함하는 유도결합 플라즈마 방식의 식각 장비

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    구성 및 성능

    1.Carousel Load Lock : 1set 1)Carousel Vacuum Loadlock / 2)Carousel Loadlock Parts for 2*100mm Substrates 3)Rotary Pump: Edwards E2M40F / 4)Carousel Loadlock Parts for 2*150mm Substrates 2.ASE-HRM Process Module : 1set 1)Multiplex ICP HC250M Process Chamber(MESC) 2)ICP 240BF Source[ASE Type](Exc. PSU and Matching) 3)3KWatt(13.56MHz) RF Supply and Matching Unit 4)300/30 Watt(13.56MHz) RF Supply and Matching Unit 5)High Capacity Electrode Temperature Control(-20 to +45 deg C) 6)Deep Silicon Trench Process Package 7)Mechanical Wafer Clamping Electrode with He Backside Cooling 8)5*Gas Line (Non Hazardous) / 9)2*Gas Line(Hazardous) / 10)Turbo Pump: Leybold MAG2000 CT 11)Dry Pump: Edwards iQDP80(H) / 12)Spare Ceramic Components 3.System Control 1)Hardware: (PC&Monitor)CPU:300MHz,RAM:32MB,HDD:1GB,FDD:3.5",CD-ROM:24X, Monitor:17" 2)Software: Operating System MSDOS6.22 with Windows 3.11 GUI

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    사용/활용예

    나노급 디바이스는 생산 단가 절감을 위한 고 집적 소자의 구현을 위해 필요하게 되었고, 아울러, device 성능 향상을 위해서 새로운 구조의 device 및 신물질의 도입이 이루어지고 있다. 이에 따라 건식 식각 기술에 있어서 나노급 식각 기술 및 신물질 식각에 대한 연구에 사용한다

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    용도

    실리콘 웨이퍼 식각용

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  • 항목명 교내요금 교외요금
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