Cold-Wall Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) System for Growth of Quantum Semi-Metals / 양자 준금속 합성 기술 개발을 위한 냉벽 유기금속화학기상증착 시스템
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- 도입년도
- 2025
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- 모델명
- 수직형 MOCVD
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 대한민국 / 시스넥스
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 양자기술첨단기기센터
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- 설치장소
- N센터 C동 2층 86291호
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- 담당자 연락처 / e-mail
- 01027721176 / yerinso@skku.edu
국가연구시설장비 분류체계
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장비설명
닫기본 장비는 원자층 두께의 Te(텔루륨) 계열 양자 및 위상 준금속 신소재를 정밀하게 합성하기 위한 고성능 기상화학증착(CVD) 시스템입니다. 평형 증기압이 높은 유기금속 소스를 사용하고, 가스전달시스템을 통한 Flux 제어 용이성, 그리고 공정 장비의 재현성/범용성 확보 가능한 장점이 있습니다. 이로써 차세대 반도체 분야인 고성능 메모리, 스핀트로닉스, 그리고 양자 컴퓨팅을 위한 초전도 및 위상 큐빗 등 첨단 양자 정보 기술 구현을 위한 핵심 소재 연구에 최적화되어 있습니다.
구성 및 성능
닫기장비는 반응기 및 진공 시스템, 가스 전달 시스템, 그리고 자동 제어 시스템으로 구성됩니다. 최대 1,000°C까지 정밀 온도 제어가 가능한 냉벽(Cold-wall) 방식의 반응 챔버와 저압 공정(10~700 Torr)을 안정적으로 유지하는 드라이 진공 펌프 시스템으로 구성됩니다. 소재 합성을 위해 2인치 기판을 수용하며, 고순도 박막 성장을 지원합니다. 가스 공급 계통은 수소(H2), 질소(N2), 아르곤(Ar) 등의 캐리어 가스 라인과 더불어, 3개 이상의 유기금속(MO) 및 액체 소스를 공급할 수 있는 전용 캐니스터 라인을 갖추고 있어 다성분계 화합물 합성이 가능합니다. 모든 가스 유량은 질량유량계(MFC)와 전자식 압력 제어계(EPC)를 통해 정밀하게 조절되며, PC 기반의 자동 제어 소프트웨어가 포함됩니다. 또한, 실험자의 안전을 위해 국소 배기 장치(Fume hood) 등 안전 설비를 포함하고 있습니다.
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항목명 교내요금 교외요금 1 시간 200000 200000