Focused Ion Beam / 집속이온빔장치
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- 도입년도
- 2006
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- 모델명
- Exstar 7000
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- 취득금액
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- 제조국가 / 제조사
- 일본 / Seiko Instruments
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- 수량
- 1
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- 운영기관
- 성균관대학교
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- 설치장소
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- 담당자 연락처 / e-mail
- / tlsduswn80
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장비설명
닫기Focused Ion Beam 장치는 집속빔을 시료 표면에 주사해서 발생되는 2차 전자등을 검출해서 현미경상을 관찰 또는 시료 표면을 가공하는 장치임. Sample의 특정 위치를 결정하여 가공, 검출, 영상분석이 가능 박막 Device를 비롯한 다양한 재료나 소재의 고분해능 관찰 및 가공
구성 및 성능
닫기- Triple Beam System (FIB, SEM, Ar ion beam) - Micro Probing System 장착 SEM - Acceleration Voltage : 0.5 ~ 15 kV - Resolution : 5nm V(ACC)= 1 kV @beam coincident point FIB - Acceleration Voltage : 5 ~ 30 kV - Resolution : 4nm V(ACC)= 30 kV - Max Current Density : Bigger than 30A/cm2
사용/활용예
닫기나노 특정영역에서의 Ion Milling, Patterning, Nano Pore(~30nm) 가공이 가능하며 반도체, Polymer, Bio 등 폭넓은 분야의 응용성을 가지고 Failure Analysis 및 TEM 시편 제작에 이용
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